中商情报网讯：目前，全球射频前端芯片市场主要被欧美厂商占据，我国生产厂商目前主要在射频开关和低噪声放大器等产品上实现技术突破，并逐步实现进口替代。

射频前端芯片市场规模

射频前端芯片行业因产品广泛应用于移动智能终端，行业战略地位逐步提升，我国射频前端芯片行业迎来巨大发展机会，在全球市场的占有率有望大幅提升。在相关新兴领域蓬勃发展以及国家政策大力扶持的双重驱动下，2022年我国射频前端芯片市场规模达到914.4亿元。中商产业研究院预测，2023年我国射频前端芯片市场规模继续保持高速增长，预计达到975.7亿元。

数据来源：赛迪顾问、中商产业研究院整理

射频前端芯片发展趋势

1.集成化、模组化是射频前端芯片发展的趋势，将进一步提高市场准入门槛

新一代通信技术的发展带来的多频段、高频率收发需求，以及 MU-MIMO技术的应用，进一步增加了智能终端对射频器件数量的需求。同时智能终端轻薄化、小型化的发展趋势，使分立式射频器件已经无法满足要求，射频器件集成化、模组化发展已成趋势。

对于射频芯片设计厂商而言，将分立器件集成至单个模组需要解决发射端同接收端间的电磁干扰、模组内各芯片的热管理、在小空间内布版走线等问题。集成化、模组化意味着对其设计能力、选择的制造工艺以及封装工艺均提出更高的要求。

2.通信技术迭代升级加快，对射频前端芯片性能要求更高

通信技术是电子产品联网通信的技术基础，近年来，随着物联网、AR、VR、云宇宙等新兴领域的兴起，电子产品对通信技术的需求日益提高，更加强调高频段、大容量、低时延等使用体验。射频前端芯片是电子产品联网通信的硬件基础，通信技术持续的迭代升级及下游应用领域日益复杂的需求，均对射频前端芯片的性能提出了更高要求，同时也进一步提升射频模块的单机价值量，为射频前端芯片设计企业带来全新的机遇与挑战。

在芯片设计方面，新一代通信技术通信频段的不断提升，也带来信号衰减加快的问题，因此射频前端芯片的发射端需要有更高的发射功率，以实现更广的通信距离。大容量、高传输速率使得射频前端芯片在单位时间内所需处理的射频信号数量提升，对射频前端芯片信号模拟的线性度的要求更高。新一代通信系统天线数量的增加以及发送信号的通道增加，均将导致射频前端芯片的功耗、发热增加，因此终端产品的热管理也对射频前端芯片的功耗提出更高的要求。

通信技术高速迭代升级的背景下，追求高功率、高线性度、低功耗以及恰当的材料工艺选择，成为射频前端芯片设计研发的主要方向。

3.射频前端芯片对材料及工艺要求高，与供应链的合作将更加紧密

射频前端芯片属于模拟芯片，对设计、工艺和材料的要求相对较高，需要设计公司更多地考虑晶圆材料、封装测试方案，并与晶圆制造及封测厂商紧密配合合作。国际射频前端芯片龙头企业，如Skyworks、Qorvo 等，拥有雄厚的资金实力，均采用 IDM 模式，拥有自有的晶圆制造、封装及测试厂。

在材料及工艺方面，随着半导体材料的不断发展，以 CMOS、SOI 工艺为代表的硅基半导体材料，主要满足中低频段射频前端芯片的性能要求；以 GaAs等工艺为代表的化合物半导体材料，凭借其在功率、线性度等性能指标的优异表现，成为中高频段射频前端芯片的主流选择。

芯片设计企业需要与主流晶圆制造商及封测厂商保持紧密的合作关系。近年来，下游市场需求旺盛，导致全球集成电路产能供给相对不足，芯片设计企业与上游供应链稳固的合作关系更为重要。