一直以来，提升芯片性能主要依靠先进制程的突破。但现在，人工智能对算力的需求，将芯片封装技术的重要性提升至前所未有的高度。为了提升AI芯片的集成度和性能，高级封装技术如2.5D/3D封装和Chiplet等得到了广泛应用。
     根据研究机构的调研，到2028年，2.5D及3D封装将成为仅次于晶圆级封装的第二大先进封装形式。这一技术不仅能够提高芯片的性能和集成度，还能有效降低功耗，为AI和高性能计算等领域提供强有力的支持。
    什么是2.5D和3D封装？2.5D封装是一种先进的异构芯片封装技术，它结合了2D（平面）和3D（立体）封装的特点，实现了多个芯片的高密度线路连接并集成为一个封装。
    2.5D封装技术的关键在于中介层，它充当了多个芯片之间的桥梁，提供了高速通信接口。中介层可以是硅转接板（Si Interposer）、玻璃转接板或其他类型的材质。在硅转接板上，穿越中介层的过孔被称为TSV（Through Silicon Via，硅通孔），而在玻璃转接板上则称为TGV。
芯片不是直接安装在电路板上，而是先安装在中介层上。这些芯片通常使用MicroBump技术或其他先进的连接技术连接到中介层。中介层的表面使用重新分布层（RDL）进行布线互连，以实现芯片之间的电气连接。
    优势方面，2.5D封装允许在有限的空间内集成更多的引脚，提高了芯片的集成度和性能；芯片之间的直接连接减少了信号传输的路径长度，降低了信号延迟和功耗；由于芯片之间的紧密连接和中介层的优化设计，2.5D封装通常具有更好的散热性能；2.5D封装支持高速数据传输，满足对高性能计算和网络设备的需求。
   3D封装技术又称为三维集成电路封装技术，是一种先进的半导体封装方法，它允许多个芯片在垂直方向上堆叠在一起，以提供更高的性能、更小的封装尺寸和更低的能耗。
    3D封装技术的核心在于将多个芯片在垂直方向上堆叠，而不是传统的2D封装中芯片平面排列的方式。这种堆叠方式有助于减小封装面积，提高电子元件之间的连接性能，并缩短信号传输距离。
    由于芯片之间的垂直堆叠，3D封装技术能够减少信号传输的延迟，提高数据传输的带宽，从而显著提升系统的整体性能。在单位体积内，3D封装可以集成更多的芯片和功能，实现大容量和高密度的封装。较短的信号传输距离和优化的供电及散热设计使得3D封装技术能够降低系统的功耗。3D封装技术可以集成不同工艺、不同功能的芯片，实现多功能、高效能的封装。

除了台积电、英特尔、三星等厂商之外，中国大陆封测企业也在高性能先进封装领域积极布局。近年来，随着AI技术的快速发展和应用需求的不断增加，AI芯片先进封装技术取得了显著进展。国内外厂商纷纷加大研发投入，推出了一系列具有创新性的封装解决方案。如，台积电的CoWoS与SoIC 技术，英特尔的EMIB技术，长电科技的XDFOI封装技术等。
     随着AI技术的不断发展和应用需求的持续增长，AI芯片先进封装技术将面临广阔的市场前景。可以预见，未来AI芯片先进封装技术将会继续向更高集成度、更低功耗和更低成本的方向发展。同时，随着新技术的不断涌现，该技术也将会不断有新的突破和创新。

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