原理

N沟道MOSFET通过控制栅源电压来控制源漏间电子通路的导通与截止。当栅源电压高于阈值电压时，栅极下方会形成N型导电沟道，源极电子在电场作用下流向漏极，实现电流导通，且改变栅源电压可调节沟道宽窄和漏极电流。

 

增强型N沟道MOSFET在VGS = 0时截止，VGS大于阈值电压（Vth）时才会出现导电沟道；耗尽型N沟道MOSFET在VGS = 0时就存在导电沟道，施加反向电压（VGS < 0）会使沟道变窄，VGS达到某负值时沟道消失，器件截止。增强型可以理解为常闭，需要有外来的电压将它打开，耗尽型可以理解为常开，需要有外来的电压将它关闭。

 

产品特性

合科泰半导体推出的N沟道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低导通电阻、高电流承载能力和优异的散热性能等优势。它具备高效功率转换和快速开关能力，特别适用于低功率DC-DC转换器、负载开关以及表面贴装设备等应用。其电学特性表现优异，包括直流反向电压30V、正向电流50A@25℃、正向涌浪电流112A、反向电流1μA@25℃以及正向电压1.0V至3.0V。

 

HKTD50N03产品采用TO-252封装，这是一种表面贴装（SMD）形式。TO-252封装的产品具有紧凑的尺寸、优异的散热性能和高可靠性，适合于在高密度电路板和自动化生产线中使用。N沟道MOSFET具有非常好的电学性能，如超低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等产品。

 

 

产品应用

HKTD50N03型号N沟道MOSFET的具有很好的功率处理能力和高效开关性能，应用特别地广泛在低功率DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动以及消费电子产品等产品上，均可见到它的身影。

 

HKTD50N03产品具有很好的特性，它可以和电容、电阻、电感、二极管以及控制器IC等元器件进行合理的连接，构成高效、稳定的电路，可以实现功率转换、负载控制、信号放大、开关控制以及能量管理等多种功能。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。

 

产品包括：

1、半导体封装材料；2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感；3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。

 

合科泰设有两个智能生产制造中心：

1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地；

2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台；

 

2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是：

1、顺芯半导体，主要负责研发生产集成电路功率器件；

2、南充安昊，主要负责研发生产晶片电阻和车规级电阻；

3、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料；

产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。

 

合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。

 

合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。

 

合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。

 

产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。

 

 

扫一扫、联系合科泰

合科泰销售电话：18823438533（微信同号）