HXY2N65D_TO-252_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/650V 参数3：电流ID/2A 参数4：内阻R/5000mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，拥有650V高耐压值和2A电流承载力。适用于高压环境下的消费电子产品开关应用，提供出色的能效表现及稳定性，是优化电源系统、提升设备性能的理想半导体器件选择。
