MJD127T4G-HXY_TO-252_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252 类别：三极管(BJT) 最小包装：2500圆盘 参数1：晶体管类型: PNP 参数2：集电极电流(Ic): 8A 参数3：集射极击穿电压(Vceo): 100V 参数4：功率(Pd): 1.5W 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款达林顿管采用TO-252-2L封装，是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压（Vceo）及8A的最大集电极电流（Ic），额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压，在8A集电极电流和80mA基极电流时，VCE(sat)仅为4V，确保高效能运行。此外，该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益，hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合，以其卓越的电气参数与稳定性能，满足各类中高功率电路需求。
