MJD122-HXY_TO-252_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252 类别：三极管(BJT) 最小包装：2500圆盘 参数1：晶体管类型: NPN 参数2：集电极电流(Ic): 8A 参数3：集射极击穿电压(Vceo): 100V 参数4：功率(Pd): 1.5W 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
描述: 此款NPN型达林顿双极功率晶体管采用TO-252-2L封装，特别适用于通用放大器构建与低速开关应用。其拥有100V的最高集射极击穿电压（Vceo）和高达8A的连续集电极电流（Ic），具备出色的功率耗散能力为1.5W。器件在工作状态下表现出色，饱和电压VCE(sat)仅4V@8A/80mA，并提供宽泛的直流电流增益范围，在4A集电极电流及4V集射极电压下，hFE介于1000至12000之间。此外，该晶体管具有超低的反向饱和电流Icbo为10uA，确保了更高的电路稳定性和更低功耗。卓越性能使其成为高效率、大电流控制的理想解决方案。
