HC3M0075120D_TO-247-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30管 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/1200V 参数3：电流ID/32A 参数4：内阻R/90mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V，连续电流可达32A，尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统，具备卓越的高温稳定性和低损耗特性，是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。
