HC2M0080120D_TO-247-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30管 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/1200V 参数3：电流ID/36A 参数4：内阻R/98mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A，特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度，是现代高效能源管理的理想半导体元件。
