HC2M0080120K_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30管 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/1200V 参数3：电流ID/36A 参数4：内阻R/80mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V，连续电流高达36A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势，是现代能源管理系统的核心器件。
