HC2M0160120K_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30管 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/1200V 参数3：电流ID/19A 参数4：内阻R/160mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流19A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
