HC3M0015065K_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30管 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/650V 参数3：电流ID/120A 参数4：内阻R/21mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为650V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达120A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想半导体组件。
