DMG6968UTS_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.5A 参数4：RDON/11.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMG6968UTS 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，特别适合于紧凑型电路设计。其核心参数包括最大漏源电压VDSS为20V，可承载高达7.5A的连续漏极电流ID，且具备较低的导通电阻RD(on)为11.5mR，有助于降低功耗并提升系统效率。广泛应用于开关电源转换、电机驱动控制、负载开关电路以及各类中低电压、中等电流的电子设备中。
