DMN2019UTS_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.5A 参数4：RDON/11.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2019UTS 是一款高品质NN沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。其核心技术参数包括最大漏源电压VDSS为20V，能承载高达7.5A的连续漏极电流ID，且具有出色的导通性能，导通电阻低至11.5mR，确保在运行期间减小功耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关以及各类中低电压、中等电流的电路设计中，表现出色。
