AOTE32136C_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.5A 参数4：RDON/11.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOTE32136C 是一款高效能NN沟道MOSFET，采用了节省空间的TSSOP-8封装样式，特别适合在紧凑型电路设计中使用。器件的关键性能指标包括最大漏源电压VDSS为20V，能够支持高达7.5A的连续漏极电流ID，而且拥有极低的导通电阻RD(on)，仅为11.5mR，有助于大幅度降低系统功耗并提升整体能效。这款MOS管广泛应用于开关电源转换、电机驱动、LED调光以及众多中低电压、中等电流的电子设备中。
