DMN2016UTS_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.5A 参数4：RDON/11.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2016UTS 是一款高速、低阻抗的NN沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，适合现代紧凑型电子设计。工作电压高达20V，能提供高达7.5A的连续电流，尤其适用于电源开关、负载驱动等场合。其卓越的导通电阻仅为11.5mΩ，极大地提升了系统效率并降低了功耗。选择DMN2016UTS MOS管，助您实现高性能、节能的电路设计。
