FDD5353_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款MOS管型号为FDD5353 ，采用先进的TO-252-2L封装技术，属于高性能N沟道MOSFET器件。其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力，确保了在大电流环境下的稳定工作。导通电阻仅为11mΩ，有效降低了功率损耗，提升系统能效，特别适用于各类开关电源、电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景。
