STN2610D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STN2610D 是一款高品质N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，适合于各种空间紧凑的设计需求。该器件具有出色的电气性能，最大漏源电压VDSS达60V，连续漏极电流ID高达50A，展现出强大的电力处理能力。尤其突出的是其低至11mR的导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗并优化能源效率，广泛适用于开关电源转换、电机驱动、LED照明等领域，是您高效能电子设计的理想选择。
