IPD30N06S2-15_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
IPD30N06S2-15 是一款高性能N沟道MOS管，封装类型为节省空间的TO-252-2L。它具备优异的电气参数最高漏源电压VDSS高达60V，能够承受50A的连续漏极电流，展现卓越的负载承载能力。更值得关注的是，其导通电阻仅11mR，有助于显著降低功耗与提高系统效能。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动控制以及高效节能电子设备，是高端电源管理和电路设计的理想之选。
