IRFR2905ZPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR2905ZPBF 是一款采用先进封装技术TO-252-2L的高性能N沟道MOSFET器件。其核心参数出色漏源极耐压高达60V，可持续承载50A的大电流，确保在高电压、大电流场景下稳定运行。而11mR的超低导通电阻RD(on)，大大降低了功率损耗，提升了能源利用效率。这款MOS管适用于开关电源、电机驱动、电源管理等各种领域，是实现高能效电子系统设计的理想选择。
