IRLR3915PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR3915PBF 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑高效的TO-252-2L封装，适应现代电子设备的小型化趋势。该器件具有60V的高额定漏源电压(VDSS)，可承载高达50A的连续漏极电流，表现出色的电力处理能力。导通电阻低至11mR，大幅降低了能耗，提升了系统效能。此款MOS管广泛适用于开关电源、电机驱动、充电器等多种场合，是追求高效率、低功耗设计的理想半导体元件。
