FDD8896_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
FDD8896 是一款高性能N沟道MOS管，采用经典的TO-252-2L封装形式，结构紧凑且易于安装。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，以及高达80A的连续漏极电流ID，展现了其在高电流环境下的出色承载能力。其显著特点是拥有极低的导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，确保在大电流切换时降低损耗，提升整体能效。FDD8896 MOS管适用于电源转换、电机驱动等高功率应用场合，以卓越性能满足各种电子产品的设计需求。
