IRFR3709ZPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
IRFR3709ZPBF 是一款采用TO-252-2L封装的高性能N沟道MOS管，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压VDSS，能够承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在高压、大电流环境下稳定工作。其突出优势在于导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用率。IRFR3709ZPBF MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，以其卓越的性能表现成为众多电子设计的理想之选。
