NTD4858N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD4858N 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适合于广泛的电源管理和功率转换应用。它具备30V的最大漏源电压VDSS，并能承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在高功率状态下稳定运行。此外，该器件的核心优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效减小系统功耗，提升整体效率。NTD4858N MOS管是电机驱动、开关电源及其他大电流场景的理想选择，以其卓越性能助力实现高效、稳定的电路设计。
