PHD97NQ03LT_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PHD97NQ03LT 是一款高性能N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，专为高效能、大电流应用设计。器件支持30V的最大漏源电压VDSS，具备高达80A的连续漏极电流ID能力，确保在重载条件下仍能稳定工作。其亮点在于导通电阻RD(on)低至5.5mΩ，极大地降低了功率损耗，提高了整体能效。适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，以出色的电气性能为各类电子设备提供强力支持。
