FDD6670A_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6670A 是一款N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，适用于各类大电流、高效率应用。该器件具有30V的漏源电压VDSS，可承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中稳定工作。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效减少功率损失，提升系统效能。是电源转换、电机驱动等高功率场景的理想选择，以卓越性能赋能现代电子设备的高效设计。
