NTD4860N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD4860N 是一款高性能N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，专为应对高功率、大电流应用设计。该器件提供30V的最大漏源电压VDSS，并能承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在严苛工作条件下也能维持稳定性能。其特色在于超低的导通电阻RD(on)，仅为5.5mΩ，从而显著降低系统损耗，提升整体效率。非常适合应用于电源转换、电机驱动等领域，以卓越的电气性能满足客户对高效率、大电流半导体元件的需求。
