DMN10H170SK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号为DMN10H170SK3 的N沟道MOS管，采用坚固耐用的TO-252-2L封装形式，专为高功率应用设计。该器件具备出色的电气特性，最高耐压VDSS高达100V，连续电流ID强劲，可达15A，充分满足大电流场景需求。导通电阻RD(on)被控制在100mR，有效降低功率损耗，提升能源转化效率。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是高功率、高效能电子设备的理想选择。
