IRLR3103PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR3103PBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率应用设计。器件提供30V的VDSS耐压值，支持高达20A的连续漏极电流ID，展现强大的电流处理能力。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，保证了优秀的能效表现，降低系统损耗。适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等领域，是实现高效率、大电流操作的理想半导体器件。
