NTD20N03L27_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD20N03L27 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率应用设计。该器件具有30V的VDSS电压耐受能力，能够承载高达20A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电流处理性能。其亮点在于仅15mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著提升能源效率并减少系统发热。广泛应用在电源转换器、大电流开关电路、电机驱动等领域，是追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。
