STN4102_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装形式，专为处理大电流应用而设计。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达20A的连续漏极电流，体现卓越的电力传输能力。其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域，是追求高性能、高效率的理想半导体器件。
