AOD484_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD484 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流(ID)，体现出卓越的电流处理性能。其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on))，确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面，是高端电子设备的理想半导体元件。
