FDD6630A_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
FDD6630A 是一款N沟道MOSFET，选用TO-252-2L封装形式，专为高功率、大电流应用设计。该器件支持高达30V的漏源极电压(VDSS)，并能稳定承载20A的连续漏极电流，体现了出色的电流处理能力。其关键特性在于仅有15mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效提升系统工作效率，减少功率损耗。广泛运用于电源转换、马达驱动、大电流开关电路等领域，是追求高效、耐用性能的理想半导体组件。
