FDD6612A_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。
