STD17NF03LT4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD17NF03LT4 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高电流和高效率应用设计。器件支持最大30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理高达20A的连续漏极电流，展现出强大的电流承载能力。其独特的15mΩ超低导通电阻(RD(on))设计，有效提升了系统能效，降低了损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域，是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。
