AOD2922_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD2922 N沟道MOS管，采用高效封装TO-252-2L，专为100V高电压环境下的电源管理和电路控制设计。该器件可承载最大漏源电压VDSS为100V，连续漏极电流ID高达15A，确保在高压应用中的稳定运行。导通电阻RD(on)为100mR，虽非超低电阻，但在中等电流应用中仍体现出良好的性价比。适用于开关电源、电池充放电控制、电机驱动等多种场景，是您构建高效、可靠电路的理想组件。
