AOD444_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD444 是一款高品质N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，易于集成到各类电路设计中。器件核心参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V，能够承受并传输20A的连续漏极电流(ID)，同时，其低至27mΩ的导通电阻(RD(on))保证了高效能和低损耗。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动、LED照明调光等应用，是您提升系统性能和节能效果的理想半导体器件。
