AUIRFR024NTRL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
AUIRFR024NTRL N沟道MOS管采用行业主流TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和布局灵活性。其核心优势在于支持60V的最大漏源电压(VDSS)及高达20A的连续漏极电流(ID)，专为高功率应用打造。导通电阻低至27mΩ，确保在大电流操作下仍能维持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换器、电机驱动等领域，是兼具高性能与可靠性的理想半导体器件。
