STN442D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STN442D 型号N沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，体积小巧，散热优良，适用于各类空间有限的设计方案。该器件具有60V的额定电压VDSS，最大连续电流ID高达30A，显示其出色的电力传输能力。更值得称赞的是其22mR的低导通电阻，大大提升了能源效率和系统响应速度。广泛应用于电源转换、马达驱动、负载开关等领域，所有产品出厂前均经过严格的质量把关，确保提供持久稳定的高性能表现。
