IRFR1205PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
IRFR1205PBF N沟道MOS管，采用业界主流TO-252-2L封装形式，拥有良好的散热性能和紧凑体积，适配多种电路设计需求。该器件具有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，确保在高功率环境下稳定工作。其22mR的低导通电阻使得能源转换效率更高，系统损耗更低。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载切换等场景，出厂前经过严格质量检验，保证每一片MOS管的高性能与可靠性。
