IRLR3410PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/80.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR3410PBF 型号N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和紧凑体积，适合各种电子设备应用。器件拥有100V的额定电压VDSS，提供高达20A的连续电流ID承载能力，满足高电压、大电流需求。虽然其导通电阻为80mR，但在同类产品中仍具有较高性价比，有助于优化系统效率并降低能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检测，确保在各种工况下稳定可靠运行。
