NTD6416ANLT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/80.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
NTD6416ANLT4G 型号N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备优良的散热性能与紧凑尺寸，适应多样化电路设计需求。该器件提供100V的额定电压VDSS，支持高达20A的连续电流ID，尤其适用于高电压、大电流的应用场景。尽管导通电阻为80mR，但仍能保持较好的能效比，降低系统损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，出厂前经过严格质量检测，确保产品具备稳定可靠的高性能表现。
