FDD3706_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/40.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD3706 是一款N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，适合多种电子应用。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能提供高达40A的连续漏极电流(ID)，展现优良的电流承载能力。其导通电阻(RD(on))仅为7.5mΩ，有效减小功耗，提升系统能效，特别适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效低阻抗的电路设计。该MOS管凭借高性能与通用性成为工程师们的理想选择。
