IRLR3705ZPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
IRLR3705ZPBF 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为高功率电子设备设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能承载最大80A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流承载能力。其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。
