IPD088N06N3G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD088N06N3G 是一款高品质N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，专为高效率、大电流应用设计。该器件具有卓越的电气性能，最大耐压值高达60V(VDSS)，可承载连续漏极电流高达80A(ID)，且在常态下展现出超低的导通电阻6.5mΩ(RD(on))，有效降低功率损耗，提高系统运行效率。这款MOS管凭借出色的稳定性和耐用性，广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是您构建高性能电子系统的理想选择。
