IRFR1018EPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR1018EPBF 是一款高效能N沟道MOSFET，封装采用紧凑而广泛应用的TO-252-2L样式，特别适合于空间有限及高密度电路板设计。此器件具有强大的性能参数，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，以及高达80A的连续漏极电流(ID)，在保证高电流处理能力的同时，其优秀的导通电阻仅有6.5mΩ(RD(on))，确保了低功耗与高效率运作。广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域，是您优化系统性能、提升能源利用率的理想选择。
