IRLR3636PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR3636PBF 是一款高端N沟道MOSFET，采用行业标准的TO-252-2L封装，旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS)，可承载持续的漏极电流达80A(ID)，且在导通状态下展现卓越的低电阻特性，仅6.5mΩ(RD(on))，有效降低了功率损耗，提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围，IRLR3636PBF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域，是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。
