DMTH6009LK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMTH6009LK3 是一款专业级N沟道MOSFET，采用小巧高效的TO-252-2L封装形式，专为高功率密度应用设计。器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在严苛条件下稳定输出80A的连续漏极电流(ID)，更值得一提的是其卓越的导通性能，导通电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，助力降低功耗、提升系统运行效率。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您的高性能电力解决方案的理想选择。
