SUD50N06-09L-E3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SUD50N06-09L-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封装，专为高效率、大电流应用场景设计。该器件工作电压高达60V(VDSS)，具备强大的电流处理能力，可承载连续漏极电流80A(ID)，并且在导通状态下的电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体能源转换效率。SUD50N06-09L-E3 适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等众多领域，是构建节能高效电子系统的优质半导体元件。
