NTD5C668NL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD5C668NL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典封装TO-252-2L，专为高效率功率转换和电流控制应用设计。器件具备卓越的电气参数，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载80A的连续漏极电流(ID)，尤其亮点在于其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗并提升整体系统效能。此MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是搭建节能高效电子系统的理想元件。
