STD26P3LLH6_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/40.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD26P3LLH6 是一款高质量P沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为需要高效能和低功耗的应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载稳定的40A漏极电流(ID)，其亮点在于仅18mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了优秀的能源转换效率。此MOS管适用于电源管理、逆变器、电池保护电路等多个领域，是提升系统效能与节能效果的理想半导体组件。
